Auger Electron Spectroscopy (AES) tarjoaa kvantitatiivista alkuainetietoa ja kemiallista tilaa kiinteiden materiaalien pinnoilta. AES-mittauksen analyysisyvyys on keskimäärin noin 5 nm. Fysikaalinen Elektroniikka Kaira instrumentit tarjoavat mahdollisuuden saada spektri sivusuunnassa spatiaalinen resoluutio niinkin pieni kuin 8 nm. Paikkajakaumaa koskevat tiedot saadaan skannaamalla mikrotarkennettu elektronisuihku näytepinnan poikki. Syvyysjakaumatieto saadaan yhdistämällä AES-mittaukset ionijyrsintään (sputtering) ohutkalvorakenteen luonnehtimiseksi. AES: n tarjoamat tiedot pintakerroksista tai ohutkalvorakenteista ovat tärkeitä monissa teollisuus-ja tutkimussovelluksissa, joissa pinta-tai ohutkalvokoostumuksella on kriittinen rooli suorituskyvyssä, mukaan lukien: nanomateriaalit, aurinkosähkö, katalyysi, korroosio, tarttuvuus, Puolijohdekomponentit ja pakkaukset, magneettiset väliaineet, näyttötekniikka ja ohutkalvopinnoitteet, joita käytetään lukuisissa sovelluksissa.
AES saadaan aikaan jännittämällä näytteen pintaa hienoksi keskittyneellä elektronisuihkulla, joka aiheuttaa Augerin elektronien emittoitumisen pinnalta. Elektronienergiaanalysaattoria käytetään emittoituvien Kaira-elektronien energian mittaamiseen. Kairan piikin liike-energiasta ja intensiteetistä voidaan määrittää havaitun alkuaineen alkuaine-identiteetti ja määrä. Joissakin tapauksissa kemiallista tilaa koskevat tiedot saadaan mitatusta piikin asennosta ja havaitusta piikin muodosta.
fysikaalisen elektroniikan AES-instrumentit toimivat sem/EDS-instrumenttien tapaan, jotka käyttävät hienoksi kohdistettua elektronisuihkua sem-kuvien luomiseen näytteiden katselua ja pistespektrejä varten tai kuvien koosteanalyysiä varten. Toisin kuin SEM/EDS, jonka tyypillinen analyysisyvyys on 1-3 µm, AES on pinta-analyysitekniikka, jonka tyypillinen analyysisyvyys on alle 5 nm ja joka soveltuu siten paremmin erittäin ohuiden kerrosten ja nanomittaisten näytteiden koostumusanalyysiin.