背景：Direct His bundleペーシングは、迅速な同期 しかしながら、このようなペーシングを伴う臨床経験は、長い手順時間およびペーシングおよびセンシング性能の低下に関連している。
: 我々は、hisバンドルとperi-His領域のペーシングのための心筋活性化配列（AS）を評価し、カスタム設計されたプランジ電極を用いて急性ペーシング性能を評価した。 単極ペーシングは、単離された豚の心臓（n=10）に心室中隔に移植され、膜中隔と冠状洞口（ゾーン1-4、それぞれ;電極深さ（ED）1=最も遠位、ED4=最も近位）の間に等間隔 最適ペーシングサイトは、ペーシングしきい値<または=1として定義されました。５のＰ−Ｒ比、および＜４ ０ ２ ３＞または＝５ ０％の内因性中隔左室（ＬＶ）心内膜電気ブレイクアウト（Ｂ Ｏ）および活性化パターンの発生。
結果：中隔内の電極位置の深さが大きくなるとペーシングしきい値が改善された（ED1：1.51 +/- 0.8 V対ED4:5.2 +/- 3.8 V,P<0.001)、P-R比(0.34 +/- 0.6 vs0.78 +/- 1.0,P<0.05)。 彼の電位は、ゾーン1と2の電極（それぞれ0.12と0.02mV）でのみ観察された。 ゾーン1および2の電極のみが、内因性のような心内膜ASを示した中隔領域にLV心内膜電気BOsを生成した。 ゾーン1の深さ1と2の電極（それぞれ11.75と8.75mm）は、三つの最適なペーシングサイト要件をすべて満たしています。
結論：この研究は、許容可能なペーシングとセンシング性能を維持しながら、洞調律に似たLV活性化パターンがHisバンドルの直接活性化なしに達成され これらのデータは、Hisバンドルが中央線維体を貫通する点以下の組織を刺激するように設計されたペーシングシステムが、直接Hisバンドルペーシングおよ